【产品简介及应用】：
随着半导体器件沿大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展,热管理成为保障器件可靠性的重点。在新能源汽车、高铁、航空航天等领域,半导体器件使用过程中往往要面临颠簸震动等复杂力学环境,对材料的力学性能提出苛刻要求。氮化硅陶瓷具备高热导率、高强度、高韧性等特点,综合性能明显优于氧化铝、氮化铝等基板材料,属于陶瓷电路基板中的高端产品。
【选择氮化硅陶瓷基板的优势】:
性能 | 氧化铝 | 氮化铝 | 氮化硅 |
密度(g/cm3) | 3.70 | 3.30 | 3.22 |
抗折强度(MPa) | 350 | 450 | ≥600 |
韧性(MPa·m | 3 | 3 | 6 |
热膨胀系数(10-6/K , 100°C) | 5.2 | 4 | 2.6 |
热导率[W/(m • K) , 25°C] | 24 | 180 | 60-90 |
比热[J/(kg • K) , 25°C] | 750 | 720 | 680 |
介电常数(1MHz) | 9~10 | 8.8 | 9.0 |
介电损耗(1MHz,10-4) | ≤3 | ≤3 | ≤3 |
电阻率(Ω·cm , 25°C ) | ≥1014 | ≥1014 | ≥1014 |
抗电强度(KV/mm) | 15 | 12 | 12 |
应用领域:绝缘栅双极型晶体管、 高铁、 LED照明、新能源汽车、航空航天、风力发电
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